由基础科研科学挑战专题重点领域“强约束条件下集成微系统的基础科学技术问题”与厦门大学电子科学与技术学院/信息科学与技术学院联合举办的“强约束集成微系统物理与技术”全国研讨会将于2017年12月2日在厦门举行（12月1日报到）。

大会将邀请在半导体材料及器件的环境效应、宽禁带半导体光电技术、宽禁带半导体电力电子技术、宽禁带半导体太赫兹技术、量子物理与信息技术等强约束集成微系统相关领域的知名专家学者讨论和交流最新进展和技术难题，推动强约束集成微系统技术进步与应用，促进国内深度合作。

我们诚挚地邀请您参加此次研讨会，与我们相约美丽的厦门！

一、研讨会主题

强约束集成微系统物理与技术

二、研讨会范围

强约束集成微系统是基于半导体物理和微纳科学技术，直接从材料出发实现微纳电子学、微纳光子学、MEMS/NEMS、架构、算法的深度融合，获得具备传感、处理、执行、通信和能源功能的微系统。它与追求线宽减小的摩尔定律不同，通过定制完成“从原子到产品、从材料到系统”的多样性与多功能集成，实现从“晶体管→集成电路→微系统→集成微系统”的超越摩尔定律的新一代技术革命。强约束集成微系统的宏观功能及性能与其微观物理特性之间存在紧密的强约束关系。在建立从微观到宏观的跨尺度物理模型基础上，基于先进的微纳工艺技术可以根据实际需求从微观层次甚至原子尺度定制系统的宏观功能与性能。在此基础上，还可以发展出耐环境效应微系统、固态高电压微系统、太赫兹微系统、量子与光电微系统等多种新颖微系统技术。

强约束集成微系统是一种高压、高频、光机电异质异构集成的系统，包含硅、宽禁带半导体、金属、有机复合材料等多种材料，尺度上从原子尺度纳米级到微米器件乃至毫米以上的微系统，各种效应的特征时间尺度有非常大的差异，研究中还要考虑量子效应，处理电、光、力、热、磁等多物理场，以及高压、大电流、高频率等问题，这就导致了强约束集成微系统的物理模型和关键技术研究十分困难，具有很大的难度和挑战性。

本次会议将通过邀请报告和张贴报告的形式，展示国内专家在强约束集成微系统概念与内涵、半导体材料及器件的环境效应、宽禁带半导体光电技术、宽禁带半导体电力电子技术、宽禁带半导体太赫兹技术、量子物理与信息技术等强约束集成微系统相关领域取得的成果和进展，研讨其中的关键问题、分析可行的解决途径，促进强约束集成微系统物理内涵的丰富和整体的研究进步。

三、研讨会主要议程

四、分会场主题

1、微系统环境效应物理机理（半导体材料及器件的环境效应物理模型及数值模拟、半导体材料及器件精密测试方法、半导体器件可靠性研究等）

2、光电融合微系统（宽禁带半导体光电器件、新型光量子结构及器件、微纳光电集成等）

3、高电压微系统（宽禁带半导体电力电子器件、新型储能材料及器件、高电压器件封装集成等）

4、太赫兹微系统（基于宽禁带半导体的太赫兹产生、放大和检测器件，新型太赫兹调控技术、太赫兹半导体器件封装集成等）

5、量子微系统（原子惯性传感、量子精密测量理论及应用、其他固态量子信息技术等）

五、会议组织

研讨会顾问：孙昌璞院士（中国工程物理研究院研究生院）

大会共主席：张健研究员（中国工程物理研究院电子工程研究所）

程序委员会主席：李沫（中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心）

组委会成员：郑志威  18559760716，zwzheng＠xmu.edu.cn

                   龙浩  15659286512，longhao＠xmu.edu.cn

                   何艾玲  028－65726029，heailing＠mtrc.ac.cn